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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie, Taschenbuch von Norman Böttcher, Springer Fachmedien
Monolithischer Überstromschutzschalter Basierend Auf 4h-sic-sperrschicht-fet-technologie, Taschenbuch Von Norman Böttcher, Springer Fachmedien Wiesbaden Gmbh, 978-3-658-50150-1, Seitenanzahl: 212
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PHS-memory 2GB RAM Speicher basierend auf HYNIX, RAM Modellspezifisch
Der PHS-memory 2GB RAM Speicher basiert auf HYNIX-Technologie und bietet eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit einem Formfaktor von SO-DIMM ist dieser Arbeitsspeicher ideal für Laptops und kompakte Systeme. Er unterstützt die DDR3-RAM-Technologie und erreicht eine Speichertaktfrequenz von 1600 MHz, was eine effiziente Datenverarbeitung ermöglicht. Die Spannung von 1,35 Volt sorgt für einen energieeffizienten Betrieb, während die 204 Pins eine einfache Integration in kompatible Systeme gewährleisten. Dieser RAM-Speicher ist eine ausgezeichnete Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts verbessern möchten, ohne auf hohe Kapazitäten zurückgreifen zu müssen. - Formfaktor: SO-DIMM, ideal für Laptops und kompakte Systeme - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für effiziente Datenverarbeitung - Energieeffiziente Spannung von 1,35 Volt - Kompatibel mit DDR3-RAM-Technologie.
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PHS-memory 4GB RAM Speicher basierend auf SAMSUNG, RAM Modellspezifisch
Der 4GB RAM Speicher von PHS-memory basiert auf der bewährten Technologie von SAMSUNG und bietet eine zuverlässige Leistung für den Einsatz in modernen Computersystemen. Dieser SO-DIMM Arbeitsspeicher vom Typ DDR3 ist speziell für den Einsatz in kompakten Systemen konzipiert und unterstützt eine Speichertaktfrequenz von 1600 MHz, was eine effiziente Datenverarbeitung ermöglicht. Mit einer Kapazität von 4 Gigabyte und einer Nennspannung von 1,35 Volt bietet das Modul eine ausgewogene Kombination aus Leistung und Energieeffizienz. Der Speicher ist mit 204 Pins ausgestattet, was eine stabile Verbindung und Kompatibilität mit entsprechenden Systemen gewährleistet. Die Konstruktion des Moduls ist auf Zuverlässigkeit und Langlebigkeit ausgelegt, sodass es den Anforderungen moderner Computeranwendungen gerecht wird. Die Integration von SAMSUNG-Technologie unterstreicht die Qualität und Leistungsfähigkeit des Produkts. Highlights: - Zuverlässige SAMSUNG-Technologie - Effiziente 1600 MHz Taktfrequenz - Energieeffiziente 1,35 Volt Nennspannung - Zuverlässige SAMSUNG-Technologie - Effiziente 1600 MHz Taktfrequenz - Energieeffiziente 1,35 Volt Nennspannung.
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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie, Taschenbuch von Norman Böttcher, Springer FachmedienMonolithischer Überstromschutzschalter Basierend Auf 4h-sic-sperrschicht-fet-technologie, Taschenbuch Von Norman Böttcher, Springer Fachmedien Wiesbaden Gmbh, 978-3-658-50150-1, Seitenanzahl: 21284,99 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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PHS-memory 2GB RAM Speicher basierend auf HYNIX, RAM ModellspezifischDer PHS-memory 2GB RAM Speicher basiert auf HYNIX-Technologie und bietet eine zuverlässige Leistung für verschiedene Anwendungen. Mit einem Formfaktor von SO-DIMM ist dieser Arbeitsspeicher ideal für Laptops und kompakte Systeme. Er unterstützt die DDR3-RAM-Technologie und erreicht eine Speichertaktfrequenz von 1600 MHz, was eine effiziente Datenverarbeitung ermöglicht. Die Spannung von 1,35 Volt sorgt für einen energieeffizienten Betrieb, während die 204 Pins eine einfache Integration in kompatible Systeme gewährleisten. Dieser RAM-Speicher ist eine ausgezeichnete Wahl für Nutzer, die die Leistung ihres Geräts verbessern möchten, ohne auf hohe Kapazitäten zurückgreifen zu müssen. - Formfaktor: SO-DIMM, ideal für Laptops und kompakte Systeme - Speichertaktfrequenz von 1600 MHz für effiziente Datenverarbeitung - Energieeffiziente Spannung von 1,35 Volt - Kompatibel mit DDR3-RAM-Technologie.39,72 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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PHS-memory 4GB RAM Speicher basierend auf SAMSUNG, RAM ModellspezifischDer 4GB RAM Speicher von PHS-memory basiert auf der bewährten Technologie von SAMSUNG und bietet eine zuverlässige Leistung für den Einsatz in modernen Computersystemen. Dieser SO-DIMM Arbeitsspeicher vom Typ DDR3 ist speziell für den Einsatz in kompakten Systemen konzipiert und unterstützt eine Speichertaktfrequenz von 1600 MHz, was eine effiziente Datenverarbeitung ermöglicht. Mit einer Kapazität von 4 Gigabyte und einer Nennspannung von 1,35 Volt bietet das Modul eine ausgewogene Kombination aus Leistung und Energieeffizienz. Der Speicher ist mit 204 Pins ausgestattet, was eine stabile Verbindung und Kompatibilität mit entsprechenden Systemen gewährleistet. Die Konstruktion des Moduls ist auf Zuverlässigkeit und Langlebigkeit ausgelegt, sodass es den Anforderungen moderner Computeranwendungen gerecht wird. Die Integration von SAMSUNG-Technologie unterstreicht die Qualität und Leistungsfähigkeit des Produkts. Highlights: - Zuverlässige SAMSUNG-Technologie - Effiziente 1600 MHz Taktfrequenz - Energieeffiziente 1,35 Volt Nennspannung - Zuverlässige SAMSUNG-Technologie - Effiziente 1600 MHz Taktfrequenz - Energieeffiziente 1,35 Volt Nennspannung.46,01 €*Versand: 0,00 €Sichere Weiterleitung zum Anbieter
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